Bərk SiC vafli daşıyıcısı

VeTek Semiconductor-un bərk SiC vafli daşıyıcısı yarımkeçirici epitaksial proseslərdə yüksək temperatur və korroziyaya davamlı mühitlər üçün nəzərdə tutulmuşdur və yüksək təmizlik tələbləri olan bütün növ vafli istehsal prosesləri üçün uyğundur. VeTek Semiconductor Çində aparıcı vafli daşıyıcı təchizatçısıdır və yarımkeçirici sənayesində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyir.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Bərk SiC vafli daşıyıcı yarımkeçirici epitaksial prosesin yüksək temperatur, yüksək təzyiq və korroziyalı mühiti üçün hazırlanmış komponentdir və yüksək təmizlik tələbləri olan müxtəlif vafli istehsal prosesləri üçün uyğundur.

Möhkəm SiC vafli daşıyıcısı vaflinin kənarını əhatə edir, vafli qoruyur və yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqələrin böyüməsini təmin edərək onu dəqiq şəkildə yerləşdirir. SiC materialları əla istilik sabitliyi, korroziyaya davamlılığı və əla istilik keçiriciliyi səbəbindən maye fazalı epitaksiya (LPE), kimyəvi buxar çökmə (CVD) və metal üzvi buxar çökmə (MOCVD) kimi proseslərdə geniş istifadə olunur. VeTek Semiconductor-un bərk SiC vafli daşıyıcısı bir çox sərt mühitlərdə yoxlanılıb və vafli epitaksial böyümə prosesinin sabitliyini və səmərəliliyini effektiv şəkildə təmin edə bilər.

Vapor-phase epitaxial growth method

Möhkəm SiC vafli daşıyıcısıMəhsul Xüsusiyyətləri

● Ultra yüksək temperatur sabitliyi: Bərk SiC vafli daşıyıcıları 1500°C-ə qədər temperaturda sabit qala bilər və deformasiyaya və ya çatlamaya meylli deyil.

● Əla kimyəvi korroziyaya davamlılıq: Yüksək saflıqda silisium karbid materiallarından istifadə edərək, o, güclü turşular, güclü qələvilər və aşındırıcı qazlar daxil olmaqla müxtəlif kimyəvi maddələrin korroziyasına müqavimət göstərə bilər və vafli daşıyıcının xidmət müddətini uzadır.

● Yüksək istilik keçiriciliyi: Bərk SiC vafli daşıyıcıları əla istilik keçiriciliyinə malikdir və proses zamanı istiliyi tez və bərabər şəkildə dağıta bilir, vafli temperaturun sabitliyini qorumağa və epitaksial təbəqənin vahidliyini və keyfiyyətini yaxşılaşdırmağa kömək edir.

● Aşağı hissəciklərin yaranması: SiC materialları çirklənmə riskini azaldan və yüksək təmizlik üçün yarımkeçiricilər sənayesinin ciddi tələblərinə cavab verə bilən təbii aşağı hissəciklər yaratmaq xüsusiyyətinə malikdir.

Texniki spesifikasiyalar:

Parametr	Təsvir
Material	Yüksək təmizlikli bərk silisium karbid
Tətbiq olunan vafli ölçüsü	4 düym, 6 düym, 8 düym, 12 düym (özəlləşdirilə bilər)
Maksimum temperatur tolerantlığı	1500 ° C-ə qədər
Kimyəvi müqavimət	Turşu və qələvi müqaviməti, florid korroziyaya davamlılığı
İstilik keçiriciliyi	250 Vt/(m·K)
Hissəciklərin əmələ gəlmə sürəti	Yüksək təmizlik tələbləri üçün uyğun olan ultra aşağı hissəcik istehsalı
Fərdiləşdirmə seçimləri	Ölçü, forma və digər texniki parametrlər tələb olunduğu kimi fərdiləşdirilə bilər

Niyə seçinVeTek yarımkeçiricibərk SiC vafli substrat daşıyıcı üzük?

● Etibarlılıq: Ciddi sınaqdan və son müştərilər tərəfindən faktiki yoxlamadan sonra o, ekstremal şəraitdə uzunmüddətli və sabit dəstək təmin edə və prosesin dayandırılması riskini azalda bilər.

● Yüksək keyfiyyətli materiallar: Ən yüksək keyfiyyətli SiC materiallarından hazırlanmışdır, hər bir bərk SiC vafli daşıyıcısının sənayenin yüksək standartlarına cavab verdiyinə əmin olun.

● Fərdiləşdirmə xidməti: Xüsusi proses ehtiyaclarını ödəmək üçün çoxlu spesifikasiyaların və texniki tələblərin fərdiləşdirilməsini dəstəkləyin.

Daha çox məhsul məlumatına ehtiyacınız varsa və ya sifariş vermək üçün bizimlə əlaqə saxlayın. İstehsalın səmərəliliyini artırmaq və texniki xidmət xərclərini azaltmaq üçün sizə xüsusi ehtiyaclarınız əsasında peşəkar məsləhətlər və həllər təqdim edəcəyik.