CVD SiC Duş Başlığı

Fabrikamızdan CVD SiC Duş Başlığını alacağınıza əmin ola bilərsiniz. VeTek Yarımkeçirici CVD SiC Duş Başlığı qabaqcıl kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) üsullarından istifadə etməklə bərk silisium karbiddən (SiC) hazırlanır. SiC müstəsna istilik keçiriciliyi, kimyəvi müqaviməti və mexaniki gücü ilə seçilir, CVD SiC Duş Başlığı kimi böyük həcmli SiC komponentləri üçün idealdır.

Məhsulun Performansı və Üstünlükləri:

Yarımkeçiricilərin istehsalı üçün nəzərdə tutulmuş CVD SiC Duş Başlığı yüksək temperaturlara və plazma emalına davamlıdır. Onun dəqiq qaz axını nəzarəti və üstün material xüsusiyyətləri sabit prosesləri və uzunmüddətli etibarlılığı təmin edir. CVD SiC-nin istifadəsi istilik idarəetməsini və kimyəvi sabitliyi artırır, yarımkeçirici məhsulun keyfiyyətini və performansını artırır.

Müştəri ehtiyaclarının qarşılanması:

CVD SiC Duş Başlığı proses qazlarını bərabər paylayaraq və kameranı çirklənmədən qoruyaraq epitaksial böyümənin səmərəliliyini artırır. O, müştərilərə etibarlı həllər təqdim edərək, temperaturun idarə edilməsi, kimyəvi sabitlik və prosesin ardıcıllığı kimi yarımkeçiricilərin istehsal problemlərini effektiv şəkildə həll edir.

Tətbiq Ssenariləri:

MOCVD sistemlərində, Si epitaksiyasında və SiC epitaksiyasında istifadə edilən CVD SiC Duş Başlığı yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici cihaz istehsalını dəstəkləyir. Onun mühüm rolu yüksək performanslı və etibarlı məhsullar üçün müxtəlif müştəri tələblərinə cavab verən dəqiq proses nəzarəti və sabitliyi təmin edir.

CVD SiC Duş Başlığının məhsul parametri:

İstehsalat sexi