Sənaye Xəbərləri

Bu məqalədə LED substratının sapfirin ən böyük tətbiqi olduğu, həmçinin sapfir kristallarının hazırlanmasının əsas üsulları təsvir edilmişdir: Czochralski üsulu ilə sapfir kristallarının yetişdirilməsi, Kyropoulos üsulu ilə sapfir kristallarının yetişdirilməsi, idarə olunan qəlib üsulu ilə sapfir kr......

Məqalədə tək kristallı sobada temperatur gradienti izah edilir. O, kristal böyüməsi zamanı statik və dinamik istilik sahələrini, bərk-maye interfeysini və bərkləşmədə temperatur qradiyentinin rolunu əhatə edir.

Taiko prosesi öz prinsipləri, texniki üstünlükləri və prosesin mənşəyindən istifadə edərək silikon vafliləri incələşdirir.

8 düymlük SiC epitaksial soba və homoepitaksial proses tədqiqatı

Məqalədə silisium, GaAs, SiC və GaN kimi yarımkeçirici substratların material xüsusiyyətləri təhlil edilir.

Bu məqalədə əsasən GaN əsaslı aşağı temperaturlu epitaksial texnologiya, o cümlədən GaN əsaslı materialların kristal quruluşu, 3. epitaksial texnologiya tələbləri və tətbiq həlləri, PVD prinsiplərinə əsaslanan aşağı temperaturlu epitaksial texnologiyanın üstünlükləri və inkişaf perspektivləri təsvir......