Ayın yuxarı hissəsi SiC ilə örtülmüşdür

VeTek Semiconductor, 20 ildən artıqdır ki, qabaqcıl materiallarda ixtisaslaşan Çində SiC ilə örtülmüş SiC-nin yuxarı yarımkeçirici hissəsinin aparıcı təchizatçısıdır. VeTek Yarımkeçirici Yuxarı Yarım Ay Hissəsi SiC örtüklü xüsusi olaraq SiC epitaksial avadanlığı üçün nəzərdə tutulmuşdur və reaksiya kamerasında mühüm komponent kimi xidmət edir. Ultra təmiz, yarımkeçirici dərəcəli qrafitdən hazırlanıb, əla performans təmin edir. Sizi Çindəki fabrikimizə baş çəkməyə dəvət edirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Peşəkar istehsalçı olaraq biz sizə SiC örtüklü yüksək keyfiyyətli Yuxarı Yarım Ay Hissəsini təqdim etmək istərdik.

SiC ilə örtülmüş VeTek Yarımkeçirici Üst yarımkeçirici hissəsi xüsusi olaraq SiC epitaksial kamerası üçün nəzərdə tutulmuşdur. Onların geniş tətbiq sahəsi var və müxtəlif avadanlıq modelləri ilə uyğun gəlir.

Tətbiq Ssenarisi:

VeTek Semiconductor-da biz SiC örtüklü yüksək keyfiyyətli Yuxarı Yarım Ay Hissəsi istehsalında ixtisaslaşırıq. SiC və TaC örtüklü məhsullarımız xüsusi olaraq SiC epitaksial kameralar üçün nəzərdə tutulub və müxtəlif avadanlıq modelləri ilə geniş uyğunluq təklif edir.

SiC ilə örtülmüş VeTek Yarımkeçirici Yuxarı Yarım Ay hissəsi SiC epitaksial kamerasında komponentlər kimi xidmət edir. Onlar nəzarət olunan temperatur şəraitini və vaflilərlə dolayı əlaqəni təmin edərək, çirkin miqdarını 5 ppm-dən aşağı saxlayırlar.

Optimal epitaksial təbəqə keyfiyyətini təmin etmək üçün biz qalınlıq və dopinq konsentrasiyasının vahidliyi kimi kritik parametrləri diqqətlə izləyirik. Qiymətləndirməmizə ən yaxşı məhsul keyfiyyətinə nail olmaq üçün film qalınlığı, daşıyıcı konsentrasiya, vahidlik və səth pürüzlülük məlumatlarının təhlili daxildir.

SiC ilə örtülmüş VeTek Yarımkeçirici Yuxarı Yarım Ay Hissəsi LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH və daha çox daxil olmaqla müxtəlif avadanlıq modelləri ilə uyğun gəlir.

SiC örtüklü yüksək keyfiyyətli Yuxarı Yarım Ay Hissəmizi araşdırmaq və ya fabrikimizə səfər planlaşdırmaq üçün bu gün bizimlə əlaqə saxlayın.

CVD SiC örtüyünün əsas fiziki xüsusiyyətləri:

CVD SiC örtüyünün əsas fiziki xassələri
Əmlak	Tipik Dəyər
Kristal strukturu	FCC β faza polikristal, əsasən (111) yönümlü
Sıxlıq	3,21 q/sm³
Sərtlik	2500 Vickers sərtliyi (500 q yük)
Taxıl Ölçüsü	2 ~ 10μm
Kimyəvi Saflıq	99.99995%
İstilik tutumu	640 J·kg-1·K-1
Sublimasiya temperaturu	2700 ℃
Bükülmə Gücü	415 MPa RT 4 nöqtəli
Gəncin Modulu	430 Gpa 4pt əyilmə, 1300 ℃
İstilikkeçirmə	300Vt·m-1·K-1
Termal Genişlənmə (CTE)	4,5×10-6K-1