- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Sənaye Xəbərləri
Çin şirkətlərinin Broadcom ilə 5nm çiplər hazırladıqları bildirilir!
Xarici xəbərlərə görə, iki mənbə iyunun 24-də aşkar etdi ki, ByteDance ABŞ-ın çip dizayn şirkəti Broadcom ilə Çin arasında gərginlik fonunda ByteDance-a yüksək səviyyəli çiplərin adekvat təchizatını təmin edəcək qabaqcıl süni intellekt (AI) hesablama prosessoru hazırlamaq üçün işləyir. və Amerika Bi......
Daha çox oxu
Sənan Optoelektronika Co., Ltd.: 8 düymlük SiC çiplərinin dekabr ayında istehsala buraxılması gözlənilir!
SiC sənayesində aparıcı istehsalçı kimi Sənan Optoelektronikanın əlaqəli dinamikası sənayedə geniş diqqəti cəlb etmişdir. Bu yaxınlarda Sənan Optoelektronika 8 düymlük transformasiya, yeni substrat fabrikinin istehsalı, yeni şirkətlərin yaradılması, dövlət subsidiyaları və digər aspektləri əhatə edə......
Daha çox oxu
TaC ilə örtülmüş qrafit hissələrinin tək kristal sobalarda tətbiqi
Fiziki buxar nəqli (PVT) metodundan istifadə edərək SiC və AlN monokristallarının böyüməsində, tige, toxum saxlayan və bələdçi halqa kimi mühüm komponentlər mühüm rol oynayır. Şəkil 2 [1]-də göstərildiyi kimi, PVT prosesi zamanı toxum kristalı aşağı temperatur bölgəsində yerləşdirilir, SiC xammalı i......
Daha çox oxu
SiC epitaksial böyümə sobasının müxtəlif texniki marşrutları
Silikon karbid substratlarında bir çox qüsur var və birbaşa emal edilə bilməz. Çip vafliləri hazırlamaq üçün epitaksial proses vasitəsilə onların üzərində xüsusi bir kristal nazik film yetişdirilməlidir. Bu nazik təbəqə epitaksial təbəqədir. Demək olar ki, bütün silisium karbid cihazları epitaksial ......
Daha çox oxu
Silisium karbid epitaksisinin materialı
Silisium karbid epitaksial təbəqəsinin materialı adətən yüksək güclü elektron cihazların və LED-lərin istehsalı üçün istifadə olunan silisium karbiddir. Mükəmməl istilik dayanıqlığına, mexaniki möhkəmliyə və yüksək elektrik keçiriciliyinə görə yarımkeçiricilər sənayesində geniş istifadə olunur.
Daha çox oxu
