CVD TAC örtük nədir?

Hamımızın bildiyi kimi,TaC3880 ° C-ə qədər ərimə nöqtəsinə, yüksək mexaniki gücə, sərtliyə, termal şoka davamlılığa malikdir; yüksək temperaturda ammonyak, hidrogen, silikon tərkibli buxar üçün yaxşı kimyəvi təsirsizliyə və istilik sabitliyinə malikdir.

CVD TAC örtüyü, kimyəvi buxar çökmə (CVD).tantal karbid (TaC) örtüyü, bir substratda (adətən qrafit) yüksək sıxlıqlı və davamlı örtük yaratmaq üçün bir prosesdir. Bu üsul yüksək temperaturda substratın səthinə TaC-nin çökdürülməsini nəzərdə tutur, nəticədə əla istilik sabitliyi və kimyəvi müqavimətə malik bir örtük əldə edilir.

CVD TaC örtüklərinin əsas üstünlüklərinə aşağıdakılar daxildir:

Son dərəcə yüksək istilik sabitliyi: 2200°C-dən yuxarı temperaturlara davam edə bilər.

Kimyəvi müqavimət: hidrogen, ammonyak və silikon buxarı kimi sərt kimyəvi maddələrə təsirli şəkildə müqavimət göstərə bilir.

Güclü yapışma: təbəqələşmədən uzunmüddətli qorunma təmin edir.

Yüksək təmizlik: çirkləri minimuma endirərək onu yarımkeçirici tətbiqlər üçün ideal hala gətirir.

Bu örtüklər xüsusilə yüksək davamlılıq və yarımkeçiricilərin istehsalı və yüksək temperaturlu sənaye prosesləri kimi ekstremal şəraitə qarşı müqavimət tələb edən mühitlər üçün uyğundur.

Sənaye istehsalında TaC örtüyü ilə örtülmüş qrafit (karbon-karbon kompozit) materialları çox güman ki, ənənəvi yüksək təmizlikli qrafit, pBN örtük, SiC örtük hissələri və s. əvəz edəcək. Bundan əlavə, aerokosmik sahədə TaC böyük potensiala malikdir. yüksək temperaturda oksidləşmə və ablasiyaya qarşı örtük kimi istifadə oluna bilər və geniş tətbiq perspektivlərinə malikdir. Bununla belə, qrafitin səthində sıx, vahid, qabarıq olmayan TaC örtüyünün hazırlanmasına nail olmaq və sənayedə kütləvi istehsalı təşviq etmək üçün hələ də bir çox problemlər var.

Bu prosesdə örtüyün mühafizə mexanizminin tədqiqi, istehsal prosesinin yenilənməsi və ən yüksək xarici səviyyə ilə rəqabət üçüncü nəsil yarımkeçirici kristalların böyüməsi və epitaksisi üçün çox vacibdir.