TaC Örtük Qəbuledici

VeTek Yarımkeçirici TaC Örtük Susseptorunu təqdim edir. Müstəsna TaC örtüyü ilə bu qəbuledici onu ənənəvi həllərdən fərqləndirən çoxlu üstünlüklər təklif edir. Mövcud sistemlərə problemsiz inteqrasiya edən VeTek Semiconductor-dan TaC Örtük Susseptoru uyğunluq və səmərəli işləməyə zəmanət verir. Onun etibarlı performansı və yüksək keyfiyyətli TaC örtüyü SiC epitaksi proseslərində ardıcıl olaraq müstəsna nəticələr verir. Biz rəqabətədavamlı qiymətlərlə keyfiyyətli məhsullar təqdim etməyə sadiqik və Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

VeTek Semiconductor-un TaC ilə örtülmüş qəbuledicisi və halqası LPE silisium karbid epitaksial böyümə reaktorunda birlikdə işləyir:

Yüksək Temperatur Müqaviməti: TaC örtüyünün həssaslığı əla yüksək temperatur müqavimətinə malikdir, LPE reaktorunda 1500°C-ə qədər ekstremal temperaturlara tab gətirə bilir. Bu, uzunmüddətli istismar zamanı avadanlıq və komponentlərin deformasiyaya uğramamasını və zədələnməməsini təmin edir.

Kimyəvi Sabitlik: TaC örtüyünün qəbuledicisi aşındırıcı silisium karbidinin böyüməsi mühitində olduqca yaxşı işləyir, reaktor komponentlərini aşındırıcı kimyəvi hücumdan effektiv şəkildə qoruyur və bununla da onların xidmət müddətini uzadır.

İstilik Sabitliyi: TaC örtüyünün həssaslığı, silikon karbid epitaksial təbəqələrinin yüksək keyfiyyətli böyüməsi üçün faydalı olan reaktorda temperatur sahəsinin vahidliyini təmin etmək üçün səth morfologiyasını və pürüzlülüyünü qoruyaraq yaxşı istilik sabitliyinə malikdir.

Anti-Çirklənmə: Hamar TaC örtüklü səth və üstün TPD (Temperatur proqramlaşdırılmış desorbsiya) performansı reaktor daxilində hissəciklərin və çirklərin yığılmasını və adsorbsiyasını minimuma endirərək epitaksial təbəqələrin çirklənməsinin qarşısını alır.

Xülasə, TaC ilə örtülmüş sensor və üzük LPE silisium karbid epitaksial böyümə reaktorunda mühüm qoruyucu rol oynayır, avadanlığın uzunmüddətli sabit işləməsini və epitaksial təbəqələrin yüksək keyfiyyətli böyüməsini təmin edir.

TaC Örtük Suseptorunun məhsul parametri:

TaC örtüyünün fiziki xassələri
Sıxlıq	14,3 (q/sm³)
Xüsusi emissiya	0.3
Termal genişlənmə əmsalı	6.3 10-6/K
Sərtlik (HK)	2000 HK
Müqavimət	1×10-5 Ohm*sm
İstilik sabitliyi	<2500 ℃
Qrafit ölçüsü dəyişir	-10~-20um
Kaplama qalınlığı	≥20um tipik dəyər (35um±10um)