TaC örtüklü qrafit vafli daşıyıcı

VeTek Semiconductor Çində aparıcı TaC Örtülü Qrafit Vafli Daşıyıcı istehsalçısı və yenilikçidir. Biz uzun illərdir SiC və TaC örtükləri üzrə ixtisaslaşmışıq. Bizim TaC örtüklü qrafit vafli daşıyıcımız daha yüksək temperatur müqavimətinə və aşınmaya davamlıdır. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Siz VeTek Semiconductor-dan fərdiləşdirilmiş TaC örtüklü qrafit vafli daşıyıcı alacağınıza əmin ola bilərsiniz. Sizinlə əməkdaşlıq etməyi səbirsizliklə gözləyirik, daha çox bilmək istəyirsinizsə, indi bizimlə məsləhətləşə bilərsiniz, sizə vaxtında cavab verəcəyik!

VeTek Yarımkeçirici TaC Örtülü Qrafit Gofret Daşıyıcısı epitaksi reaktorunda vaflilərlə birbaşa qarşılıqlı əlaqədə olur və səmərəliliyi və performansı artırır. Silikon karbid və ya tantal karbid örtük seçimi ilə VeTek Yarımkeçirici TaC Kaplamalı Qrafit Vafli Daşıyıcı, tantal karbid ilə 2-3 dəfəyə qədər daha uzun xidmət müddəti təklif edir. LPE SiC epitaksiya sobaları, JSG, NASO epitaksial sobaları da daxil olmaqla müxtəlif maşın modelləri ilə uyğun gəlir.

VeTek Yarımkeçirici TaC ilə örtülmüş qrafit daşıyıcısı dəqiq reaksiya stoxiometriyasını təmin edir, çirklərin miqrasiyasının qarşısını alır və 2000°C-dən yuxarı temperatur sabitliyini saxlayır. H2, NH3, SiH4 və Si-yə qarşı əla müqavimət göstərir, sərt kimyəvi mühitlərə qarşı qoruyur. Termal zərbələrə tab gətirərək, örtük təbəqəsi olmadan sürətli əməliyyat dövrlərinə imkan verir.

VeTek Yarımkeçirici TaC örtüyü ultra yüksək təmizliyə zəmanət verir, çirkləri aradan qaldırır və sərt ölçülü tolerantlıqlara cavab verən uyğun örtüyü təmin edir. VeTek Semiconductor-un qabaqcıl qrafit emal imkanları ilə biz sizin fərdiləşdirmə ehtiyaclarınızı ödəmək üçün təchiz olunmuşuq. İstər üzlük xidmətləri, istərsə də hərtərəfli həllər tələb etməyinizdən asılı olmayaraq, mütəxəssis mühəndis komandamız sizin xüsusi tətbiqləriniz üçün mükəmməl həlli dizayn etməyə hazırdır. Tələblərinizə və gözləntilərinizə uyğunlaşdırılmış yüksək keyfiyyətli məhsulları bizə etibar edin.

PVT üsulu SiC Crystal Growth

TaC örtüklü qrafit vafli daşıyıcısının məhsul parametri

TaC örtüyünün fiziki xassələri
Sıxlıq	14,3 (q/sm³)
Xüsusi emissiya	0.3
Termal genişlənmə əmsalı	6.3 10-6/K
Sərtlik (HK)	2000 HK
Müqavimət	1×10-5 Ohm*sm
İstilik sabitliyi	<2500 ℃
Qrafit ölçüsü dəyişir	-10~-20um
Kaplama qalınlığı	≥20um tipik dəyər (35um±10um)