TaC örtüklü MOCVD qəbuledicisi

VeTek Semiconductor, TaC örtüklərinin və SiC örtük hissələrinin tədqiqatı, inkişafı, istehsalı, dizaynı və satışı ilə məşğul olan hərtərəfli təchizatçıdır. Bizim təcrübəmiz LED epitaksiya prosesində mühüm rol oynayan TaC örtüklü ən müasir MOCVD Susceptor istehsalındadır. Sorğularınızı və əlavə məlumatları bizimlə müzakirə etmək üçün sizi salamlayırıq.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

VeTek Semiconductor, TaC Coating ilə MOCVD Susceptor üzrə ixtisaslaşmış aparıcı Çin istehsalçısı, təchizatçısı və ixracatçısıdır. Ən son satılan, aşağı qiymətə və TaC Kaplamalı yüksək keyfiyyətli MOCVD Susseptorlarını almaq üçün fabrikimizə gəlməyə dəvət edirik. Sizinlə əməkdaşlıq etməyi səbirsizliklə gözləyirik.

LED epitaxy kristal keyfiyyətinə nəzarət, material seçimi və uyğunluğu, struktur dizaynı və optimallaşdırılması, prosesə nəzarət və ardıcıllıq və işığın çıxarılması səmərəliliyi kimi problemlərlə üzləşir. Düzgün epitaksili vafli daşıyıcı materialın seçilməsi çox vacibdir və onun tantal karbid (TaC) nazik filmi (TaC örtüyü) ilə örtülməsi əlavə üstünlüklər təmin edir.

Epitaksili vafli daşıyıcı materialı seçərkən bir neçə əsas amili nəzərə almaq lazımdır:

Temperatur tolerantlığı və kimyəvi sabitlik: LED epitaksi prosesləri yüksək temperaturları əhatə edir və kimyəvi maddələrin istifadəsini əhatə edə bilər. Buna görə də, yüksək temperatur və kimyəvi mühitlərdə daşıyıcının dayanıqlığını təmin etmək üçün yaxşı temperatur tolerantlığı və kimyəvi sabitliyə malik materialları seçmək lazımdır.

Səthin hamarlığı və aşınmaya davamlılığı: Epitaksiya vafli daşıyıcısının səthi epitaksiya vaflisinin vahid təması və sabit böyüməsini təmin etmək üçün yaxşı düzlüyə malik olmalıdır. Bundan əlavə, aşınma müqaviməti səthin zədələnməsinin və aşınmasının qarşısını almaq üçün vacibdir.

İstilik keçiriciliyi: Yaxşı istilik keçiriciliyi olan materialın seçilməsi istiliyi effektiv şəkildə dağıtmağa kömək edir, epitaksi təbəqəsi üçün sabit böyümə temperaturunu saxlayır və prosesin sabitliyini və tutarlılığını artırır.

Bu baxımdan, epitaxy gofret daşıyıcısının TaC ilə örtülməsi aşağıdakı üstünlükləri təklif edir:

Yüksək temperaturda sabitlik: TaC örtüyü yüksək temperaturda əla dayanıqlıq nümayiş etdirir, yüksək temperaturlu epitaksiya prosesləri zamanı strukturunu və performansını saxlamağa imkan verir və üstün temperatur tolerantlığını təmin edir.

Kimyəvi sabitlik: TaC örtüyü ümumi kimyəvi maddələrdən və atmosferdən korroziyaya davamlıdır, daşıyıcını kimyəvi deqradasiyadan qoruyur və davamlılığını artırır.

Sərtlik və aşınma müqaviməti: TaC örtüyü yüksək sərtlik və aşınma müqavimətinə malikdir, epitaxy gofret daşıyıcısının səthini gücləndirir, zədə və aşınmanı azaldır və ömrünü uzadır.

İstilik keçiriciliyi: TaC örtüyü yaxşı istilik keçiriciliyi nümayiş etdirir, istilik yayılmasına kömək edir, epitaksi təbəqəsi üçün sabit böyümə temperaturunu saxlayır və prosesin sabitliyini və tutarlılığını artırır.

Buna görə də, TaC örtüyü ilə epitaksiya vafli daşıyıcısının seçilməsi yüksək temperatur və kimyəvi mühitin tələblərinə cavab verən LED epitaksiyasının problemlərini həll etməyə kömək edir. Bu örtük yüksək temperaturda dayanıqlılıq, kimyəvi sabitlik, sərtlik və aşınma müqaviməti və istilik keçiriciliyi kimi üstünlüklər təklif edir, epitaksiya vafli daşıyıcısının təkmilləşdirilmiş performansına, ömrünə və istehsal səmərəliliyinə töhfə verir.

TaC örtüyünün əsas fiziki xüsusiyyətləri:

TaC örtüyünün fiziki xassələri
Sıxlıq	14,3 (q/sm³)
Xüsusi emissiya	0.3
Termal genişlənmə əmsalı	6.3 10-6/K
Sərtlik (HK)	2000 HK
Müqavimət	1×10-5 Ohm*sm
İstilik sabitliyi	<2500 ℃
Qrafit ölçüsü dəyişir	-10~-20um
Kaplama qalınlığı	≥20um tipik dəyər (35um±10um)