Yüksək təmizlik SiC vafli qayıq daşıyıcısı

VeTek Semiconductor fərdiləşdirilmiş Yüksək təmizlik SiC vafli qayıq daşıyıcısını təklif edir. Yüksək saflıqda silisium karbiddən hazırlanmış, vafli yerində saxlamaq üçün yuvalara malikdir və emal zamanı sürüşməsinin qarşısını alır. Lazım gələrsə, CVD SiC örtüyü də mövcuddur. Peşəkar və güclü yarımkeçirici istehsalçısı və təchizatçısı kimi VeTek Semiconductor-un Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı qiymət baxımından rəqabətədavamlı və yüksək keyfiyyətə malikdir. VeTek Semiconductor Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyir.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

VeTekSemi Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı yarımkeçiricilərin istehsalı prosesində yumşaldıcı sobalarda, diffuziya sobalarında və digər avadanlıqlarda istifadə olunan mühüm daşıyıcı komponentdir. Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı adətən yüksək təmizlikli silisium karbid materialından hazırlanır və əsasən aşağıdakı hissələri ehtiva edir:

• Qayıq dəstəyi gövdəsi: daşımaq üçün xüsusi olaraq istifadə edilən mötərizəyə bənzər quruluşsilikon vaflilərvə ya digər yarımkeçirici materiallar.

• Dəstək strukturu: Dəstək strukturunun dizaynı yüksək temperaturda ağır yükləri daşımağa imkan verir və yüksək temperaturda müalicə zamanı deformasiyaya uğramayacaq və zədələnməyəcəkdir.

silicon carbide material

silisium karbid material

Fiziki xassələriYenidən kristallaşdırılmış silisium karbid：

Əmlak	Tipik Dəyər
İş temperaturu (°C)	1600°C (oksigenlə), 1700°C (azaldıcı mühit)
SiC tərkibi	> 99,96%
Pulsuz Si məzmunu	< 0,1%
Kütləvi sıxlıq	2,60-2,70 q/sm3
Görünən məsaməlilik	< 16%
Sıxılma gücü	> 600 MPa
Soyuq əyilmə gücü	80-90 MPa (20°C)
İsti əyilmə gücü	90-100 MPa (1400°C)
Termal genişlənmə @1500°C	4.70*10^-6/°C
İstilik keçiriciliyi @1200°C	23 Vt/m•K
Elastik modul	Elastik modul 240 GPa
Termal şok müqaviməti	Çox yaxşı

İstehsal prosesi tələbləri daha yüksəkdirsə,CVD SiC örtüyüyüksək təmizlik SiC vafli qayıq daşıyıcısında təmizliyin 99,99995%-dən çox olmasına nail olmaq üçün həyata keçirilə bilər və onun yüksək temperatur müqavimətini daha da yaxşılaşdırır.

CVD SiC örtüyünün əsas fiziki xassələri:

Əmlak	Tipik Dəyər
Kristal strukturu	FCC β faza polikristal, əsasən (111) yönümlü
Sıxlıq	3,21 q/sm³
Sərtlik	2500 Vickers sərtliyi (500 q yük)
Taxıl Ölçüsü	2 ~ 10μm
Kimyəvi Saflıq	99.99995%
İstilik tutumu	640 J·kq^-1·K^-1
Sublimasiya temperaturu	2700 ℃
Bükülmə Gücü	415 MPa RT 4 nöqtəli
Gəncin Modulu	430 Gpa 4pt əyilmə, 1300 ℃
İstilik keçiriciliyi	300W·m^-1·K^-1
Termal Genişlənmə (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Yüksək temperaturda müalicə zamanı Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı, yerli həddindən artıq istiləşmənin qarşısını almaq üçün silikon vaflinin bərabər şəkildə qızdırılmasını təmin edir. Bundan əlavə, silisium karbid materialının yüksək temperatur müqaviməti ona 1200°C və ya daha yüksək temperaturlarda struktur sabitliyini saxlamağa imkan verir. working principle of High purity SiC wafer boat carrier

Diffuziya və ya yumşalma prosesi zamanı konsol avar və Yüksək təmizlik SiC vafli qayıq daşıyıcısı birlikdə işləyir. Thekonsol avarsilikon vaflini daşıyan Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısını yavaş-yavaş soba kamerasına itələyir və emal üçün təyin olunmuş yerdə dayandırır.

Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı silikon vafli ilə əlaqə saxlayır və istilik müalicəsi prosesi zamanı müəyyən bir vəziyyətdə sabitlənir, konsol avar isə temperaturun vahidliyini təmin etməklə bütün strukturu düzgün vəziyyətdə saxlamağa kömək edir.

Yüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcısı və konsol avar yüksək temperatur prosesinin dəqiqliyini və sabitliyini təmin etmək üçün birlikdə işləyir.

VeTek yarımkeçiricisizə ehtiyaclarınıza uyğun olaraq fərdiləşdirilmiş Yüksək təmizlik SiC vafli qayıq daşıyıcısı təqdim edir. Sorğunuzu gözləyirik.

VeTek yarımkeçiriciYüksək təmizlikli SiC vafli qayıq daşıyıcı mağazalar:

VeTek Semiconductor High purity SiC wafer boat carrier shops